技术编号:7056739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。本实施例无需二...
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