技术编号：7056756
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种双层高K介质结构的制作方法，包括步骤S01提供半导体衬底，其上具有间隔设置的浅沟槽隔离；步骤S02使所述半导体衬底循环暴露于铪基化合物以及水蒸气，以形成预定厚度的第一氧化铪层；步骤S03使所述第一氧化铪层循环暴露于铪基化合物以及强氧化剂，以形成预定厚度的第二氧化铪层；步骤S04在所述第二氧化铪层表面形成金属栅材料层。本发明提供的双层高K介质结构的制作方法，一方面减少半导体衬底表面氧化硅的厚度，使栅极介质的EOT参数在合理的范围内，另一方面第二...
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