技术编号：7056759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件空穴迁移率的消极...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。