技术编号：7056810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属高效低成本薄膜太阳电池领域，具体为。本发明首先激光分割TCO-1（前电极和电子传导体（ETM）），在经过激光分割后的TCO-1导电玻璃上（带隙宽度>3.2eV，电子亲合势约~4.8eV）双源共蒸发沉积ABX3（A=CH3NH3等，B=Pd，Sn等，X=I，Cl，Br等）钙钛矿吸收层（200-400nm厚，带隙宽度1.5eV，电子亲合势3.93eV），再将样品转移到PECVD设备中沉积梯度掺杂p/p+型氢化硅基薄膜（5~30nm厚，带隙宽度1....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。