技术编号:7056975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。垂直半导体器件具有带有第一表面和与第一表面基本平行的第二表面的半导体主体。第一金属化被布置在第一表面上。第二金属化被布置在第二表面上。在与第一表面垂直的截面平面中,半导体主体包含与第二金属化欧姆接触的n掺杂第一半导体区,与第一金属化欧姆接触的多个p掺杂第二半导体区,和多个p掺杂嵌入半导体区。p掺杂第二半导体区基本延伸到第一表面,被彼此间隔开,并且与第一半导体区形成分别的第一pn结。p掺杂嵌入半导体区被彼此间隔开,与p掺杂第二半导体区间隔开,与第...
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