技术编号：7057360
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括使得期望检测多晶硅栅极氧化层缺失的晶圆流片到执行完多晶硅栅极氧化层生成工艺，从而在衬底中形成通过隔离区相互隔开的第一阱、第二阱和第三阱，并且在硅片表面形成氧化层；其中，所述氧化层包括第一阱上形成的较厚的第一氧化层，以及在第二阱或第三阱上形成的用于形成多晶硅栅极氧化层的较薄的氧化层；以所述氧化层作为阻挡层对晶圆整体进行有源区的单晶硅刻蚀，其中多晶硅栅极氧化层缺失位置处的单晶硅将被消耗从而形成单晶硅损耗缺陷；通过检测单晶硅损耗缺陷来确定多...
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