技术编号:7057377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构,通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道及源极,由于该氧化物导体层较薄,与现有技术相比,所述沟道的宽度可以制作得较小,并且沟道宽度可以得到准确控制,因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度,提升了氧化物半导体TFT基板的性能,提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中,由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似,因此可形成良好的欧姆接触;氧化物半导体层具有较好的爬坡,且氧化...
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