技术编号:7057524
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种阻变栅隧穿场效应晶体管,包括一个控制栅层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个隧穿源区、一个低掺杂漏区和一个沟道区;控制栅采用栅叠层结构,依次为底电极层、挥发性阻变材料层、顶电极层;挥发性阻变材料层为具有挥发性阻变特性的材料层;沟道区位于隧穿源区的上方,且位置与隧穿源区部分重叠,在沟道区与隧穿源区界面处形成隧穿结;低掺杂漏区位于控制栅的水平方向的另一侧,且与控制栅之间有水平间距;低掺杂漏区和隧穿源区掺有不同掺杂类型的杂质;半导体衬底和沟道区的掺杂类型和隧...
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