技术编号:7057526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,图像传感器像素中,复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面,电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部,光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中;电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分,三部分相互接触,并且N型离子区位于漂浮有源区下方,光电二极管N型区位于N型离子区下方;相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区。光电二极管最大程度地占据了整个像素面积,扩大了光电二极管有源区的填充率,有效提高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。