技术编号:7057552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种优化晶体硅太阳能电池PN结的方法,步骤如下扩散;酸溶液对PN结腐蚀将扩散后的硅片置于化学清洗机台中,采用HNO3、HF和DI水的混合溶液对硅片进行腐蚀,所述HNO3∶HF∶DI水的体积比为10∶1∶100,反应时间为20~60s;PN结碱溶液处理由于酸性腐蚀液对硅片进行酸性腐蚀时,表面会产生薄多孔硅层,需采用KOH和DI水的混合溶液对其清洗,所述KOH∶DI水的体积比为5∶100,反应时间为20~60s;清洗;刻蚀;PECVD;丝网印刷;烧...
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