技术编号:7057565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种各向异性干法刻蚀VO2,包括以下步骤a、提供SiN作为衬底;b、在所述衬底上磁控反应溅射形成VO2薄膜;c、在VO2薄膜表面进行SiN的生长,形成SiN掩膜;d、在所述SiN掩膜上涂覆光刻胶,将SiN掩膜图形化;e、依次对SiN掩膜和VO2薄膜进行反应离子刻蚀,其中,SiN掩膜和VO2薄膜均采用氟基气体进行刻蚀,在对VO2薄膜进行刻蚀的过程中通入O2;f、用干法去胶机去除残余光刻胶;g、进行清洗和甩干去除反应残余物。本发明解决了VO2薄膜干...
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