技术编号:7057866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的目的在于提供一种能够通过4探针法测定电阻值的。本发明所涉及的具有工序(a),其向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×1020cm-3浓度的杂质;工序(b),其在工序(a)之后,在SiC衬底的表面形成石墨膜;工序(c),其在工序(b)之后,通过对SiC衬底进行退火处理而使杂质活性化;工序(d),其在工序(c)之后,将石墨膜去除;工序(e),其在工序(d)之后,将SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜;工序(f),其将氧化膜去除;以及工序(g),其在工序(f...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。