技术编号：7058099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，具有阶梯型多晶硅栅与阶梯型法拉第屏蔽层，既保持有较小的输入电容，又减小了输出电容，降低了栅边缘下方电场强度。本发明还公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，在阶梯型多晶硅栅的制作过程中，不添加任何步骤，只是在一次刻蚀中使第一层氧化层从源端到漏端为薄厚薄的结构，从而能够帮助后续形成的法拉第屏蔽层为靠近多晶硅栅为厚氧化层，靠近漏端为薄氧化层的阶梯型，阶梯型法拉第屏蔽层的制作不需要引入任何其他工艺，只需在形成阶...
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