技术编号:7058208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。一种双环硅通孔结构,从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法,包括(1)在半导体衬底上刻蚀通孔;(2)在通孔的内表面制备第一介质层;(3)在第一介质层的表面通制备第一金属环;(4)在第一金属环的表面制备第二介质层;(5)在第二介质层的表面制备第二金属环;(6)在第二金属环的表面制备介质芯层,直至完全填满为止;(7)在半导体衬底和硅通孔上表面进行化学机械抛光。采用外层接地第一金属...
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