技术编号:7058220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管,漂移区为非均匀掺杂结构。本发明还公开了该种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法,漂移区采用三次N型离子注入形成非均匀的N型结构,第一次N型离子注入是一次低剂量中等能量的自对准垂直注入,第二次N型离子注入是一次低剂量低能量的自对准斜角注入,然后再通过模板定义,在离开多晶硅栅一段距离的漂移区中的位置进行第三次N型离子注入。本发明的,在厚法拉第屏蔽氧化层的条件下,减小了输出电容,增强了热载流子注入能力和鲁棒性,制造工艺...
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