技术编号:7058278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。一种半导体器件包含半导体基体,该半导体基体具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。该半导体器件进一步包含第一和第二槽,该第一和第二槽从第一表面延伸到该半导体基体中。该半导体器件进一步包含至少一个横向IGFET,该横向IGFET包含在第一表面处的第一负载端子、在第一表面处的第二负载端子和第一槽内的栅电极。该半导体器件进一步包含至少一个垂直IGFET,该垂直IGFET包括在第一表面处的第一负载端子、在第二表面处的第二负载端子和第二槽内的栅电极。专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。