技术编号:7058279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种氮化镓基深紫外LED的有源区结构,可增强光的提取效率。该结构由五个周期的量子阱构成,每个量子阱由充当势垒的高铝组分AlGaN层和充当势阱的AlN/GaN超晶格组成。该结构的发光波长处于深紫外范围(224~247nm),可通过改变超晶格中AlN和GaN的厚度调节。该有源区结构用于c面深紫外LED,可改善发射光的空间分布,使从外延片表面发出的光占主导,从而提高LED的表面发光强度。与具有相同发光波长的传统深紫外LED的有源区相比,本发明提出的深...
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