技术编号：7058464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏端其他位置的2DEG密度，形成LDD结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升耐压能力；当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极正下方区域，栅下氮化镓(GaN)沟道导带底呈阶梯式分布，由于势垒的下降使栅下沟道载流子的漂移速度增加，在2种不同元素组分铝...
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