技术编号：7058876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种IGBT器件的栅极结构，IGBT器件由多个IGBT单元结构并联形成，各IGBT单元结构都包括一个栅极单元；各栅极单元采用网状结构的方式并联形成一组以上栅极并联结构，各栅极并联结构并联形成栅极结构；各栅极并联结构中的各栅极单元都呈条形且平行排列且作为栅极并联结构的最底级，相邻的多个栅极单元并联在一起作为最底级的上一级的子单元，栅极并联结构的各对应级的相邻的多个子单元并联在一起作为各对应级的上一级的子单元；栅极结构的所有栅极并联结构的最顶级连接...
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