技术编号:7058878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种形成CMOS图像传感器像素间隔离沟槽的方法,通过在一键合晶圆表面覆盖一阻挡层,并采用微影工艺和第一湿法刻蚀工艺在阻挡层上刻蚀出若干图形窗口,并以此阻挡层为掩膜对晶圆进行第二湿法刻蚀工艺处理以代替传统的干法刻蚀工艺,形成若干隔离沟槽并进行后续的氧化物填充;该技术方案可以避免传统的干法刻蚀工艺的过程中,高能量的离子轰击会破坏衬底并导致半导体器件的漏电电流较大;因此减少了CMOS图像传感器中像素间的信号串扰,增强了CMOS图像传...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。