技术编号:7058913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅,接着沉积一层多晶硅,然后沉积一层氮化硅,通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形,接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀,其中,所述还包括利用低温原子层沉积技术沉积一层氮化硅薄膜;利用干法刻蚀工艺依次对所述氮化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀,最终停在所述多晶硅上;通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留;最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多...
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