技术编号:7059252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于存储层中出现的电学特性变化来存 储信息的存储器元件和存储器设备,所述存储层包括离子源层和电阻变化层。背景技术NOR或NAND闪速存储器是广泛用于数据存储的半导体非易失性存储器。然而,已经指出,由于考虑到用于写入和擦除的高电平电压的需要以及注入到浮动栅极的有限数量的电子,这类半导体非易失性存储器在微细加工(microfabrication)上存在限制。为了克服微细加工上的上述限制,目前提出的下一代非易失性存储器为诸如ReRAM(电阻式随机存取存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。