技术编号：7059532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包括下述步骤步骤一选取N-型111面芯片进行扩散工序制得PN结芯片；步骤二把所述PN结芯片制作成为片状GPP芯片；步骤三把所述片状GPP芯片封装制造成片状硅粒子整流二极管。本发明所述片状硅粒子整流二极管的生产方法不会产生尖端电场区域，从而不会产生尖峰电场使得芯片被击穿，从而对芯片起到了一定的保护作用，并提高了芯片的有效载流面积和耐受电流强度。专利说明 [0001]本发明涉及。 背景技术 [0002]传统结构的直插整流二极管采用的芯片...
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