技术编号:7059723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了,其特征在于,依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层。与现有技术相比,由于第二p型GaN层具有较高的Mg浓度掺杂,接触层的空穴浓度较高,减少了第二p型GaN层与金属接触电阻率,亦使第二p型GaN层与金属产生的势垒区变窄,增加载流子通过隧穿...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。