一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法技术资料下载

技术编号:7059760

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本发明涉及,将水溶性的金属无机或有机盐任意的一种或几种,和硫源或硒源的一种或两种组合搭配溶于去离子水与低沸点醇混合溶剂中,形成清澈透明的前驱体溶液。将所制备得到的前驱体溶液以真空辅助吸附方式灌注于半导体氧化物薄膜光阳极中,随后真空干燥。然后利用水热蒸汽法对吸附前驱体的光阳极进行低温处理,使得对应的量子点得以在光阳极原位生成,获得的量子点敏化氧化物半导体光阳极具有量子点附载量高且分布均匀、制备工艺合理且可重复性较好的特点,因此具有广阔的应用前景。专利说明 ...
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