技术编号：7059809
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种背照式CIS产品的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底正面形成有晶体管，所述晶体管上形成有互连层；对所述半导体衬底背面进行减薄；在减薄后的半导体衬底的背面进行离子注入，在减薄后的半导体衬底中形成高能离子注入区；在半导体衬底背面形成滤光片。本发明从半导体衬底背面进行离子注入，控制离子注入区域的离子剂量、分布形貌，从而有利于CIS工艺稳定性和工艺控制。专利说明背照式c IS产品的制作方法 [0001]本发明涉及半导体，尤其涉及一种背...
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