技术编号：7059880
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括以下步骤GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层以及太阳能电池层制作出外延片，太阳能电池层包括N型接触层、GaInP顶电池、隧道结I、GaInAs中电池、隧道结II、InGaAs/GaAs量子点底电池和P型接触层，GaInP顶电池禁带宽度为1.80-1.92eV，GaInAs中电池禁带宽度为1.38-1.42eV，InGaAs/GaAs量子点底电池禁带宽度为1.0-1.3eV；利用外延片制作基于半导体量子点的多结太阳能电池。与传统多结...
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