技术编号:7060098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种垂直结构的LED芯片及其制造方法,LED芯片包括衬底;位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极;位于衬底下方的N电极层,所述衬底上贯穿设置有若干通孔,所述通孔的孔径为20-100μm,N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。本发明LED芯片衬底上设置有通孔,能够使电流扩散更加均匀,减少了电流拥堵;ODR结构能够提高芯片的光取出效率;结构简单,能够有效增大发光面积,且芯片热阻低。专利说明一种垂直结构的LED芯片及其制造...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。