技术编号:7060123
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法包括在石墨烯上沉积栅介质层,制备栅金属电极;沉积钝化保护层,利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层;对栅介质层进行腐蚀,去除栅金属覆盖区域之外的栅介质层;以及沉积金属形成源漏金属电极。本发明通过所设计的自对准工艺石墨烯场效应晶体管器件制备流程,可以有效地减小栅源、栅漏间距离,进而减小寄生通路电阻,从而提高石墨烯顶栅FET器件的性能。专利说明 [0001]本发明涉及石墨烯FET器件制备,尤其...
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