技术编号：7060131
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种含自支撑结构的亚百纳米T型栅的制备方法，首先在器件外延层上淀积SiNx薄膜；在SiNx表面涂覆电子束光刻胶；在形成所述细栅线条的区域，所述SiNx表面露出；对所述露出SiNx进行刻蚀；在所述电子束光刻胶层表面和被栅金属填满的细栅线条区域表面一体形成栅金属层；栅金属层表面涂覆光学光刻胶；光学光刻胶层光刻出栅帽；栅金属层进行刻蚀，除去被所述栅帽覆盖的区域之外的栅金属；将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离，即在所述外延层上形成了T型栅。本发明提供的T型栅的制...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。