技术编号：7060442
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了。薄膜热电变换器的加热电阻(3)由中心的氮化硅或二氧化硅绝缘芯层(8)及包围绝缘芯层(8)的表面导电层(7)组成，可减小趋肤效应对薄膜热电变换器的热电转换性能的影响。在腐蚀绝热薄膜(2)的同时将加热电阻焊盘(5)之间硅衬底完全腐蚀。由于空气的介电常数远小于硅材料的介电常数，因此可以有效减小加热电阻焊盘(5)之间的电容，从而减小热电转换器过程中的交直流转换误差。专利说明 [0001]本发明涉及热电变换器的结构及制造方法，特别是，属于微电子机...
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