技术编号:7060571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,Mn)As薄膜的方法本发明公开了,Mn)As薄膜的方法,包括在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层;降低生长温度,在GaAs缓冲层上生长(In,Ga)As缓冲层;降低生长温度,在(In,Ga)As缓冲层上生长(Ga,Mn)As薄膜;在(Ga,Mn)As薄膜表面沉积一层面内易磁化的铁磁金属;在铁磁金属上生长一层Al薄膜用于防止铁磁金属氧化。利用本发明,仅通过分子束外延方法生长(In,Ga)As缓冲层在(Ga,Mn)As薄膜中...
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