技术编号：7060616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,以改善普通外延生长晶体质量差、光效低的现状。步骤包括(1)在覆盖有GaN层的衬底上PECVD沉积一层SiO2，再在SiO2上蒸镀一层Ni薄膜，通过快速热退火制备Ni纳米岛；(2)以Ni纳米岛为掩膜，刻蚀SiO2和GaN层，刻蚀完后去除Ni薄膜，获得顶部带SiO2图形掩膜的GaN纳米柱；(3)在顶部带有SiO2图形掩膜的GaN纳米柱上横向外延生长GaN，GaN在每根纳米柱侧壁上侧向生长，形成空腔；并由于SiO2与GaN晶格不匹配，GaN会越过Si...
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