技术编号：7060620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，包括如下步骤，首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层；接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜，一次低速涂覆厚层光刻胶，二次高速涂覆薄层光刻胶，两次烘焙的时间和温度依据上下两层胶层的厚度比例而变化，底层胶层累计烘焙时间和表层胶层烘焙时间之比为两者厚度之比；然后进行曝光、显影和坚膜工艺制备RDL电镀掩膜。通过调整两次涂胶的参数和烘焙的条件，确保厚胶层均匀性和光刻分辨率，再通过...
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