技术编号:7060813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件,包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区;这些高浓度固定电荷区由介质材料形成,且电荷极性为正;这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部,且相互之间呈间断设置;在横向耐压方向上,每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场,从而有效提高耐压;而且工艺实现简单,与常规CMOS工艺完全兼容。专利说明...
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