技术编号:7060816
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括以下步骤步骤1在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3在制作成脊型的上面生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5进行解理,在激光器的腔面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。