技术编号:7060831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种。该方法包括低温缓冲层GaN;不掺杂GaN层,位于所述低温缓冲层GaN之上;掺杂Si的N型GaN层,位于所述不掺杂GaN层之上;发光层,位于所述掺杂Si的N型GaN层之上;P型GaN层,位于所述发光层之上;以及高温P型GaN层,位于所述P型GaN层之上;其中,所述发光层包括多个周期的InGaN层和GaN层,每个周期的InGaN层通过时间分段生长。本申请的通过分段生长发光层的InGaN,可改变表面形貌,提高In原子的表面迁移率,从而提高发光二...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。