技术编号:7060892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。通过优化现有工艺,抑制自掺杂效应,提高了外延片厚度及电阻率参数的均匀性,降低了晶体缺陷的发生的概率,以满足器件的使用要求,大大提高快速恢复二极管器件的可靠性与成品率。制备的硅外延片的厚度不均匀性<1%,电阻率不均匀性<2%,无晶格缺陷,过渡区宽度<4um,在参数上完全满足器件对硅外延材料的要求。该硅外延产品现已得到了用户的一致认可,极大推进国产快速恢复二极管器件性能的提高。专利说明—种快速恢复二极管用硅外延片的制造方法 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。