外腔相干垂直腔面发射半导体激光器的制造方法技术资料下载

技术编号:7061095

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外腔相干垂直腔面发射半导体激光器,属于激光器。解决了现有技术中相干激光器结构复杂,可靠性差的技术问题。该激光器包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极,P型DBR的上表面边缘设有P面电极,P型DBR中设有具有多个氧化孔的氧化限制层;还包括由光栅和外腔组成的高对比度光栅,高对比度光栅遮挡所有出光孔及出光孔连接处;外腔的下表面固定在P型DBR的上表面上,外腔的光学厚度为二分之一波长的整数倍,外腔的材料为低折射率介质材料;光栅设定...
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