技术编号:7061471
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种用于4F2动态随机存取存储器的单边存取装置,特别是关于一种单边T栅极鳍式场效应晶体管(single-gate FinFET)及其制造方法,提供较佳的组件控制特性及存取驱动电流特性。背景技术众所周知,动态随机存取存储器为一种随机存取存储器,其将每一位的数据存入集成电路的电容器中。一般而言,动态随机存取存储器以方形阵列排列,每存储器单元由一晶体管及一电容器所构成。晶体管作为一开关装置,包含了一栅极以及其下的一硅质沟道区域。硅质沟道区域则位于一对源...
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