技术编号:7061480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管(LED)钝化膜生产领域,特别地,涉及一种SiOx钝化膜的沉积方法。本发明的另一方面还包括具有上述钝化膜的LED芯片。背景技术常用LED的芯片是单晶组件,单晶表面的原子活性非常高,易吸附其他杂质原子或基团,使器件性能下降,因此常常需要在器件表面沉积或生长一层由绝缘介质组成的钝化膜。该钝化膜能隔绝LED芯片的内部组件与外界,防止漏电。当所用钝化膜为由SiOx、 Si3N4或者SiON组成时,由于这些钝化膜的折射率比空气大,因而设置钝化膜后...
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