技术编号：7061574
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种抗PID效应的电池片及其制备方法，包括刻蚀清洗后的晶体硅衬底、依次沉积于其上的抗PID保护层以及钝化减反层，所述抗PID保护层为硅氧键合物Si-O薄层。本发明电池片由于受到包含Si-O键的抗PID薄层的保护，表现出优异的抗PID效果，在此基础上，对产品的效率、外观、合格率等方面不会造成负面影响；Si-O键薄层不仅阻碍、延缓了PID效应的发生，对电池片表面的悬空键也进行了有效地饱和，减少了电池片表面复合中心，因此对电池片的电性能具有一定提升。...
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