技术编号:7061594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,属于发光二极管领域。所述方法包括在衬底上生长外延层得到外延片,外延层包括依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层以及P型层;对外延层进行两次刻蚀,以在外延层上形成第一凹槽和第二凹槽,第二凹槽位于第一凹槽内,第二凹槽的底面为衬底,第二凹槽的底面的宽度小于第一凹槽的底面的宽度;在刻蚀后的外延片表面沉积一层保护层;采用激光划片工艺在第二凹槽内进行划片,产生V形划槽,第二凹槽的底面的宽度大于V形划槽的开口的宽度;将划片完成后的外延片放入腐蚀液进行腐蚀...
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