技术编号:7061673
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2,其制备过程包括(1)FTO导电玻璃基体上制备TiO2多孔膜;(2)通过连续离子吸附反应法制得Ag2S量子点敏化TiO2电极;(3)在Ag2S量子点/TiO2电极上,利用In2S3的化学水浴沉积和反应、一步“原位”合成In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化光电极。本发明制备工艺简单、对设备的要求较低、不涉及半导体量子点合成常用的有机溶剂;光电极由毒性较低的AgInS2、In2S3和TiO2...
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