技术编号：7061931
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开的高发光性能p型ZnO薄膜的方法，步骤包括采用分子束外延设备，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，以纯金属Zn源为反应源，以固体纯NaF粉末为p型掺杂源，在衬底上生长p型ZnO薄膜；将获得的p型ZnO薄膜放置在离子溅射系统中，调节溅射电流至10～15mA，在薄膜表面溅射沉积Pt或Au金属颗粒，溅射时间为20～100s。本发明方法简单可控，在增强p型ZnO薄膜带边发射的同时，有效地抑制了缺陷发光，极大地提高了p型ZnO的发光性能，为制备高...
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