技术编号:7061981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种LED芯片的外延结构及其生长方法,其中,所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、接触层,其特征在于,所述量子阱层包括势阱层和GaN势垒层,所述势阱层包括InxGa(1-x)N层、以及形成于所述InxGa(1-x)N层中的AlxGa(1-x)N层。本发明在通过在InxGa(1-x)N层中插入AlxGa(1-x)N层,便于量子阱结构在生长的过程中,应力的互补和释放,从而提高晶体的质量和发光效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。