技术编号：7062051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，通过两步退火工艺，并在第一次退火工艺中引入氢的同位素气体，利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气，防止Ni等金属层被氧化，从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状)，形成形貌平整和均匀性良好的金属硅化物；引入的氢的同位素气体中该同位素原子能进入到金属硅化物和硅衬底的界面处，并与Si结合成新的难以断裂的键，从而修复和减少界面处的缺陷，改善界面态(Dit)。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种...
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