技术编号:7062337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种局部背表面场n型太阳能电池,包括n型硅基体,在n型硅基体的前表面上设有p+发射区、前表面介质层和正极金属电极,在n型硅基体的背表面上设有n+背表面场、背表面介质层和负极金属电极,所述的n+背表面场是由选择性的n+掺杂区域形成的局部n+背表面场。本发明中的n型太阳能电池由于采用局部的背表面场结构,可以极大的降低由于背表场掺杂所带来的少子复合,与以往常规的全背表面场n型太阳能电池相比可以极大的提高电池的开路电压,并且短路电流也有一定的提升。专利...
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