技术编号：7062880
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了，通过设计版图中光刻对准标记处的牺牲层图形的宽度和间距，按照边墙硬掩膜自对准双重图形化工艺过程进行牺牲层的刻蚀、边墙介质层的沉积与刻蚀、以及鳍的刻蚀，并且沉积的边墙介质层填充满光刻对准标记处的牺牲层图形的间距；从而使得光刻对准标记处得到的鳍宽度与该处的牺牲层图形的间距相同且大于鳍标准宽度；由此，本发明在不增加额外的光刻工艺下，有效地将光刻对准标记处的鳍宽度增加，且其面积占光刻对准标记区域的总面积的比例增加，从而显著提升了光刻对准标记的光学识别率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。