技术编号:7063189
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;每个台面(2)上部淀积有阳极(5),n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6);所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4);每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m个相同的p型等腰三角形掺杂区(3),m为整数且m≥1,这些p型等腰三角形掺杂区与n型InSb衬底构成pn...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。